[发明专利]掩膜版缺陷的判断方法及判断系统

权利要求书

1.一种掩膜版缺陷的判断方法，其特征在于，包括：

提供具有图形的掩膜版及不同晶片，将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上；

获取所述晶片的图形，判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置；

提供位置阈值，对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较，若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值，则判断所述这些缺陷位于同一区域内；

提供预定值，统计位于同一区域内的缺陷所在晶片的数量，若超过所述预定值，则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。

2.根据权利要求1所述的判断方法，其特征在于，所述位置差的计算方法为欧几里得距离计算方法。

3.根据权利要求2所述的判断方法，其特征在于，所述欧几里德距离计算方法的计算规则为平均距离规则、最远距离规则或最短距离规则。

4.根据权利要求1所述的判断方法，其特征在于，所述位置阈值的范围为8μm～12μm。

5.根据权利要求1所述的判断方法，其特征在于，所述预定值为不小于2的整数。

6.根据权利要求5所述的判断方法，其特征在于，所述预定值为4。

7.一种如权利要求1所述的判断方法形成的掩膜版缺陷判断系统，包括：

光刻单元：用于将掩膜版的图形转移至不同晶片上；

扫描单元：对所述不同晶片逐一进行图形扫描，获取所述晶片的图形，判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置，并将所述缺陷的位置信息传输至处理单元；

处理单元：内部设置有位置阈值和预定值；接收所述缺陷的位置信息，并对出现在不同晶片上的缺陷位置进行作差，若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值，则判断所述缺陷位于同一区域内；统计位于同一区域内的缺陷所在晶片数量并与所述预定值进行比较判断，若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值，则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。

8.根据权利要求7所述的判断系统，其特征在于，所述位置阈值的范围为8μm～12μm。

9.根据权利要求7所述的判断系统，其特征在于，所述预定值为不小于2的整数。

10.根据权利要求9所述的判断系统，其特征在于，所述预定值为4。