[发明专利]一种二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法

摘要

本发明涉及一种二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法，该方法包括二氧化钛薄膜的制备步骤和停机的步骤，所述制备方法是在真空状态下完成的；微波从微波系统中出来，经过石英微波窗口到达镀膜室。将交流电加在两个弧形钛靶上，使两级的气体Ar电离成等离子气团，微波将这些等离子输运到两弧形钛靶上，Ar等离子体对钛靶金属表面离子轰击，溅射出的金属粒子被微波辐照而电离并形成等离子气团，并输运到衬底上。同时，通入氧气，氧气在微波辐照下形成等离子体，衬底加了负偏压，带负偏压的衬底使钛离子、氧离子消电离而共淀积成膜。

主权项

一种二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法，该方法包括二氧化钛薄膜的制备步骤，其特征在于：所述制备方法是在真空状态下完成的；所述制备方法包含了微波系统；所述二氧化钛薄膜的制备步骤是：第一步：加热温度到350～400℃；第二步：启动冷却水系统，通入冷却水；第三步：启动抽真空系统，抽真空到1.3×10-3Pa以下，保持真空状态；第四步：进入还原系统，加载H2到1～5×10Pa，20～25分钟，对钛靶表面的氧化物进行还原；第五步：送载气(Ar)，其压力为：1～5×10Pa；第六步：启动微波系统，送入微波，电流为0.2～0.4A，使气体辉光放电，加偏压165V，离子清洗基底35～45分钟；第七步：调节微波电流，使其为0.15A，偏压调到30V。调节基座加热电压，使温度降到200～210℃；第八步：关闭氢气，调节Ar量，使真空度保持在4×10Pa，10分钟后通入氧气，将钛靶电压升至1400～2200V；第九步：测量钛靶区域产生的沉积二氧化钛薄膜厚度；第十步：停机。