[发明专利]一种二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法无效
| 申请号: | 201010011405.7 | 申请日: | 2010-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN101775579A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
| 发明(设计)人: | 于庆先;孙四通 | 申请(专利权)人: | 青岛科技大学 |
| 主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/08 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 266034山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 微波 等离子体 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法,该方法包括二氧化钛薄膜 的制备步骤,其特征在于:
所述制备方法是在真空状态下完成的;
所述制备方法包含了微波系统的使用;
所述二氧化钛薄膜的制备步骤是:
第一步:加热衬底,温度到350~400℃;
第二步:启动冷却水系统,通入冷却水;
第三步:启动抽真空系统,抽真空到1.3×10-3Pa以下,保持真空状态;
第四步:进入还原系统,加载H2到1~5×10Pa,20~25分钟,对钛靶表 面的氧化物进行还原;
第五步:送载气Ar,其压力为:1~5×10Pa;
第六步:启动微波系统,送入微波,电流为0.2~0.4A,使气体辉光放电, 加负偏压165V,离子清洗基底35~45分钟;
第七步:调节微波电流,使其为0.15A,偏压调到负30V,调节基座加热电 压,使温度降到200~210℃;
第八步:关闭氢气,调节Ar量,使真空度保持在4×10Pa,10分钟后通入 氧气,将钛靶电压升至1400~2200V;
第九步:测量钛靶区域产生的沉积二氧化钛薄膜厚度;
第十步:停机,所述停机的步骤是:
第一步,关闭基板加热装置,等待20分钟;
第二步,关闭质量流量计阀门,使导气管内Ar消耗20分钟;
第三步,停微波和靶电压,关掉气体钢瓶,停分子泵,停机械泵;
第四步,等待30-40分钟;
第五步,关掉冷却水,等炉体温度下降到室温后,取出所需的薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法,其特征 在于:产生的二氧化钛薄膜沉积在衬底上,所述衬底是金属。
3.根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法,其特征 在于:产生的二氧化钛薄膜沉积在衬底上,所述衬底是陶瓷。
4.根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法,其特征 在于:产生的二氧化钛薄膜沉积在衬底上,所述衬底是玻璃。
5.根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的微波等离子体制备方法,其特征 在于:产生的二氧化钛薄膜沉积在衬底上,所述衬底是硅片。
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