[发明专利]具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法

摘要

本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。

主权项

一种半导体器件，包括：PFET区域，其包括：SiGe层，其设置在用于PFET的掺杂的衬底部分上，高k电介质层，其设置在所述SiGe层上，第一金属层，其设置在所述高k电介质层上，第一中间层，其设置在所述第一金属层上，第二金属层，其设置在所述第一中间层上，第二中间层，其设置在所述第二金属层上；以及第三金属层，其设置在所述第二中间层上；NFET区域，其包括：所述高k电介质层，其设置在用于NFET的掺杂的衬底部分上，所述第二中间层，其设置在所述高k电介质层上；以及所述第三金属层，其设置在所述第二中间层上。