[发明专利]具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

PFET区域，其包括：

SiGe层，其设置在用于PFET的掺杂的衬底部分上，

高k电介质层，其设置在所述SiGe层上，

第一金属层，其设置在所述高k电介质层上，

第一中间层，其设置在所述第一金属层上，

第二金属层，其设置在所述第一中间层上，

第二中间层，其设置在所述第二金属层上；以及

第三金属层，其设置在所述第二中间层上；

NFET区域，其包括：

所述高k电介质层，其设置在用于NFET的掺杂的衬底部分上，

所述第二中间层，其设置在所述高k电介质层上；以及

所述第三金属层，其设置在所述第二中间层上。

2.根据权利要求1的器件，所述高k电介质层为选自氧化铪、氧化 铝、氧化镧、氧化铪硅、氧氮化铪硅、氧化锆、氧化锆硅、氧化钇、氧化 锶、氧化锶钛及其混合物的电介质间隔材料。

3.根据权利要求1的器件，所述第一中间层是选自Al和Al₂O₃的材 料。

4.根据权利要求1的器件，所述第一金属层由TiN构成。

5.根据权利要求1的器件，所述第二金属层由TiN构成。

6.根据权利要求1的器件，所述第二中间层是选自La和La₂O₃的材 料。

7.根据权利要求1的器件，所述第三金属层由TiN构成。

8.根据权利要求2的器件，所述高k电介质具有范围为10埃到35 埃的基本均匀的厚度。

9.根据权利要求3的器件，所述第一中间层具有范围为3埃到20埃 的基本均匀的厚度。

10.根据权利要求4的器件，所述第一金属层具有范围为15埃到100 埃的基本均匀的厚度。

11.根据权利要求6的器件，所述第二中间层具有范围为3埃到20 埃的基本均匀的厚度。

12.一种半导体器件，包括

设置在半导体衬底上的NFET区域和PFET区域，以及

设置在所述NFET与所述PFET之间的隔离区域；

其中所述PFET区域包括栅极叠层，所述栅极叠层包括：

设置在高k电介质层上的第一TiN层，

设置在所述TiN层上的包括铝的中间层，

第二TiN层，其设置在所述中间层上，以及

La₂O₃层，其设置在所述第二TiN层上。

13.根据权利要求12的半导体器件，其中所述NFET包括设置在所 述高k电介质层上的La₂O₃层。