[发明专利]发光二极管阵列结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010003983.6 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102130241A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈昭兴 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管阵列结构及其制造方法，该发光二极管阵列结构制造方法至少包含：提供暂时基板；依序形成多个第一发光叠层及第二发光叠层；形成第一绝缘层覆盖部分第一发光叠层；形成导线于第一绝缘层之上并与第一发光叠层及第二发光叠层电性连接；形成第二绝缘层完全覆盖第一发光叠层、导线及部分第二发光叠层；形成金属连接层于第二绝缘层之上，并与第二发光叠层电性连接；形成导电基板于金属连接层之上；移除暂时基板；及形成第一电极连接第一发光叠层，使第一发光叠层与第二发光叠层形成串联电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列结构制造方法，其步骤包含：提供暂时基板；交错形成多个第一发光叠层及第二发光叠层于该暂时基板之上；形成第一绝缘层覆盖部分该第一发光叠层；形成导线于该第一绝缘层之上并与该第一发光叠层及该第二发光叠层电性连接；形成第二绝缘层完全覆盖该第一发光叠层、该导线及部分该第二发光叠层；形成金属连接层于该第二绝缘层之上，并与该第二发光叠层电性连接；形成导电基板于该金属连接层之上；移除该暂时基板；及形成第一电极连接该第一发光叠层。
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