[发明专利]发光二极管阵列结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列结构制造方法，其步骤包含：

提供暂时基板；

交错形成多个第一发光叠层及第二发光叠层于该暂时基板之上；

形成第一绝缘层覆盖部分该第一发光叠层；

形成导线于该第一绝缘层之上并与该第一发光叠层及该第二发光叠层电性连接；

形成第二绝缘层完全覆盖该第一发光叠层、该导线及部分该第二发光叠层；

形成金属连接层于该第二绝缘层之上，并与该第二发光叠层电性连接；

形成导电基板于该金属连接层之上；

移除该暂时基板；及

形成第一电极连接该第一发光叠层。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该第一发光叠层包括第一n型半导体层、第一p型半导体层、及第一有源层形成于该第一n型半导体层与该第一p型半导体层之间；该第二发光叠层包括第二n型半导体层、第二p型半导体层、及第二有源层形成于该第二n型半导体层与该第二p型半导体层之间；且其中该第一电极形成于该第一n型半导体层之上。

3.如权利要求2所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该第一发光叠层还包含第三n型半导体层形成于该暂时基板之上并与该导线电性连接，及形成第二电极连接该第三n型半导体层与该第二n型半导体层。

4.如权利要求1所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该第一发光叠层与该第二发光叠层为串联电路结构。

5.一种发光二极管阵列结构制造方法，其步骤包含：

提供暂时基板；

交错形成多个第一发光叠层、第二发光叠层、第三发光叠层及第四发光叠层于该暂时基板之上，其中该第一发光叠层包含第一n型半导体层及第二n型半导体层，该第四发光叠层包含第三n型半导体层及第四n型半导体层；

形成第一绝缘层覆盖部分该第二发光叠层及部分该第三发光叠层；

形成第一导线于该第一绝缘层之上并电性连接该第一发光叠层及该第二发光叠层；

形成第二导线于该第一绝缘层之上并电性连接该第三发光叠层及该第四发光叠层；

形成第二绝缘层完全覆盖该第二发光叠层、该第三发光叠层、该第一导线及第二导线并覆盖部分该第一发光叠层及第二发光叠层；

形成金属连接层于该第二绝缘层之上，并与该第一发光叠层及该第四发光叠层电性连接；

形成导电基板于该金属连接层之上；

移除该暂时基板；

形成第一电极连接该第一发光叠层及该第二发光叠层的第二n型半导体层；

形成第二电极连接该第三发光叠层及该第四发光叠层的第四n型半导体层；及

形成第三电极连接该第二发光叠层的第一n型半导体层与该第三发光叠层的第三n型半导体层。

6.如权利要求5所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该第一发光叠层与该第二发光叠层为串联电路结构且该第三发光叠层与该第四发光叠层为串联电路结构。

7.如权利要求6所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该分别串联的第一发光叠层及第二发光叠层与第三发光叠层及第四发光叠层为并联电路结构。

8.一种发光二极管阵列结构制造方法，其步骤包含：

提供暂时基板；

交错形成多个第一发光叠层及第二发光叠层于该暂时基板之上；

形成第一绝缘层覆盖部分该第一发光叠层及部分该第二发光叠层；

形成第一导线在该第一绝缘层之上并覆盖部分该第一发光叠层；

形成第二导线在该绝缘层上并覆盖部分该第二发光叠层；

形成第二绝缘层完全覆盖该第一发光叠层、该第二发光叠层、该第一导线及该第二导线；

形成金属连接层于该第二绝缘层之上；

形成导电基板于该金属连接层之上；

移除该暂时基板；及

形成第一电极连接该第一发光叠层与第二发光叠层。

9.如权利要求8所述的发光二极管阵列结构制造方法，其中该第一发光叠层与该第二发光叠层为串联电路结构。