[发明专利]发光二极管阵列结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管阵列结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode；LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具。

传统的阵列式发光二极管，如图1所示，包含蓝宝石基板101、多个发光叠层100形成于蓝宝石基板101上，并可选择性地形成缓冲层102于上述蓝宝石基板101与上述发光叠层100之间。上述发光叠层100包含n型半导体层103、有源层104、以及p型半导体层105。由于蓝宝石基板101不导电，多个发光叠层100之间由经蚀刻发光叠层100至蓝宝石基板形成的沟槽并覆盖以绝缘层108做为隔离。另外再于部分蚀刻多个发光叠层100至n型半导体层103后，在n型半导体层103暴露区域以及p型半导体层105上形成第一连接电极106以及第二连接电极107。通过导线109连接多个发光叠层100的第一连接电极106及第二连接电极107，使多个发光叠层100之间形成串联电路结构。

如图1所示的串联电路结构就电性而言为水平结构，且导线在基板的同一侧做电性连接。其电流的横向传导须靠半导体层来完成，然而p型半导体层105其横向传导能力较差，通常可用n型半导体层朝上(n side up)的结构来解决此问题。但若要形成n型半导体层朝上(n side up)的结构，需磨除或激光剥除蓝宝石基板，使已形成的电性连接结构遭到破坏，因而造成工艺上的困难。

发明内容

本发明的目的在于提出一种新的发光二极管阵列结构，以解决已知技术所产生的问题。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种发光二极管阵列结构制造方法，其步骤至少包含：提供暂时基板；依序交错形成多个第一发光叠层及第二发光叠层；形成第一绝缘层覆盖部分第一发光叠层；形成导线于第一绝缘层之上并与第一发光叠层及第二发光叠层电性连接；形成第二绝缘层完全覆盖第一发光叠层、导线及部分第二发光叠层；形成金属连接层于第二绝缘层之上，并与第二发光叠层电性连接；形成导电基板于金属连接层之上；移除暂时基板；及形成第一电极连接第一发光叠层，使第一发光叠层与第二发光叠层形成串联电路结构。

附图说明

根据以上所述的优选实施例，并配合附图说明，读者当能对本发明的目的、特征和优点有更深入的理解。但值得注意的是，为了清楚描述起见，本说明书所附的附图并未按照比例尺加以绘示。

附图简单说明如下：

图1为传统阵列式发光二极管示意图；

图2A至图2K为本发明制造流程与结构示意图；

图3A至图3B为本发明实施例的结构示意图；

图4为本发明实施例的结构示意图。

附图标记说明

100～发光叠层               101～蓝宝石基板

102～缓冲层                 103～n型半导体层

104～有源层                 105～p型半导体层

106～第一连接电极           107～第二连接电极

108～绝缘层                 109～导线

200A～第一发光叠层          200B～第二发光叠层

201～暂时基板               202～缓冲层

203～n型半导体层            2031～第一n型半导体层

2032～第二n型半导体层       2033～第三n型半导体层

2041～第一有源层            2042～第二有源层

2051～第一p型半导体层           2052～第二p型半导体层

206～第一绝缘层                 2071～第一p型电极

2072～第二p型电极               208～第一n型电极

2082～第二n型电极               209～导线

210～第二绝缘层                 211～金属连接层

212～导电基板                   2131～第一电极