[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010002293.9 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102034755A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 金承范 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/762;H01L27/00;H01L27/04;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体基板，所述半导体基板具有限定有源区的沟槽。在有源区的沿着纵向延伸的侧壁上形成壁氧化物，并且在沟槽中形成元件隔离层。制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上形成线形的第一沟槽以限定有源区；在第一沟槽的表面上形成壁氧化物；形成将有源区分成多个有源区的第二沟槽；以及用元件隔离层填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成线形的第一沟槽以限定线形的有源区；在所述第一沟槽的表面上形成壁氧化物；形成第二沟槽，所述第二沟槽将所述有源区分成多个分开的有源区；以及用元件隔离层填充表面上形成有所述壁氧化物的所述第一沟槽、以及所述第二沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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