[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板上形成线形的第一沟槽以限定线形的有源区；

在所述第一沟槽的表面上形成壁氧化物；

形成第二沟槽，所述第二沟槽将所述有源区分成多个分开的有源区；以及

用元件隔离层填充表面上形成有所述壁氧化物的所述第一沟槽、以及所述第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述壁氧化物形成之后，在形成有所述壁氧化物的所述第一沟槽的表面上形成衬垫氮化物层和衬垫氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

用所述元件隔离层填充形成有所述壁氧化物的所述第一沟槽、以及所述第二沟槽的步骤包括：

在所述半导体基板上形成绝缘层以填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及

用所述半导体基板作为蚀刻停止层在所述绝缘层上执行化学机械抛光工序，以形成所述元件隔离层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述绝缘层包括电介质旋涂氧化物层、高密度等离子体氧化物层和大纵横比工序氧化物层中的一个或多个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述元件隔离层包括氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述第一沟槽的步骤包括：

在所述半导体基板上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层的上表面上形成间隔物；以及

用所述间隔物作为掩模来蚀刻所述硬掩模层和所述半导体基板。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

形成所述硬掩模层的步骤包括：

在所述半导体基板上形成第一非晶碳层、第一氧氮化物层、多晶硅层、第二非晶碳层和第二氧氮化物层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，

形成所述间隔物的步骤包括：

在所述硬掩模层的上表面上形成隔开物；

在所述隔开物和所述硬掩模层上沉积氧化物层；

移除所述氧化物层的一部分以在所述隔开物的侧面上形成所述间隔物；以及

移除所述隔开物。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述第一沟槽形成在所述半导体基板的单元区域中，

并且所述方法还包括：在形成所述间隔物之后，在所述半导体基板的外围区域中形成图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述第一沟槽的步骤包括：

在所述半导体基板上依次形成第一非晶碳层、第一氧氮化物层、多晶硅层、第二非晶碳层和第二氧氮化物层；

在所述第二氧氮化物层的上表面上形成光阻图案；

用所述光阻图案作为掩模来蚀刻所述第二氧氮化物层和所述第二非晶碳层以形成隔开物；

在所述隔开物和所述多晶硅层上沉积氧化物层；

对所述氧化物层执行回蚀工序以在所述隔开物的侧面上形成间隔物；

移除所述隔开物；以及

用所述间隔物作为掩模来蚀刻所述第一氧氮化物层、所述第一非晶碳层和所述半导体基板，以形成所述第一沟槽。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第二沟槽之后，形成与所述有源区交叉的栅极。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第二沟槽之后，在所述有源区的存储节点触点区域中形成存储节点触点。

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板中形成一个或多个沟槽以限定具有侧壁的有源区；

仅在所述有源区的沿着所述有源区的纵向延伸的侧壁上形成壁氧化物；

在所述沟槽中形成元件隔离层以将所述有源区隔离。

14.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其具有对具有侧壁的有源区进行限定的沟槽；

壁氧化物，其仅形成在所述有源区的沿着所述有源区的纵向延伸的侧壁上；

元件隔离层，其形成在所述沟槽中以将所述有源区隔离。