[发明专利]快闪记忆体及其制造方法与操作方法

摘要

本发明是有关于一种快闪记忆体及其制造方法与操作方法，快闪记忆体包括基底、电荷捕捉结构、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一掺杂区与第二掺杂区。基底具有突起部分。电荷捕捉结构配置于基底上。第一栅极与第二栅极分别配置于突起部分二侧的电荷捕捉结构上，其中第一栅极与第二栅极的顶面低于位于突起部分的顶部上的电荷捕捉结构的顶面。第三栅极配置于位于突起部分的顶部上的电荷捕捉结构上。第一掺杂区与第二掺杂区分别配置于突起部分二侧的基底中。

主权项

一种快闪记忆体，其特征在于其包括：一基底，具有一突起部分；一电荷捕捉结构，配置于该基底上；一第一栅极与一第二栅极，分别配置于该突起部分二侧的该电荷捕捉结构上，其中该第一栅极与该第二栅极的顶面低于位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构的顶面；一第三栅极，配置于位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构上；以及一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别配置于该突起部分二侧的该基底中。