[发明专利]快闪记忆体及其制造方法与操作方法

权利要求书

1.一种快闪记忆体，其特征在于其包括：

一基底，具有一突起部分；

一电荷捕捉结构，配置于该基底上；

一第一栅极与一第二栅极，分别配置于该突起部分二侧的该电荷捕捉结构上，其中该第一栅极与该第二栅极的顶面低于位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构的顶面；

一第三栅极，配置于位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构上；以及

一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别配置于该突起部分二侧的该基底中。

2.根据权利要求1所述的快闪记忆体，其特征在于其更包括一介电层，配置于该第一栅极与该第三栅极之间以及该第二栅极与该第三栅极之间。

3.一种快闪记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底；

移除部分该基底，以形成一突起部分；

在该突起部分二侧的该基底中分别形成一第一掺杂区与一第二掺杂区；

在该基底上形成一电荷捕捉结构；

在该突起部分二侧的该电荷捕捉结构上分别形成一第一导体层与一第二导体层，其中该第一导体层与该第二导体层的顶面低于位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构的顶面；以及

在位于该突起部分的顶部上的该电荷捕捉结构上形成一第三导体层。

4.根据权利要求3所述的快闪记忆体的制造方法，其特征在于其中在形成该第一导体层与该第二导体层之后以及在形成该第三导体层之前，更包括在该第一导体层与该第二导体层上形成一介电层。

5.根据权利要求4所述的快闪记忆体的制造方法，其特征在于其中所述的介电层的形成方法包括：

在该基底上形成一介电材料层；以及

进行一平坦化工艺，以移除部分该介电材料层，直到暴露出该电荷捕捉结构。

6.一种快闪记忆体，其特征在于其包括：

一基底，具有一突起部分；

一第一栅极与一第二栅极，分别配置于该突起部分二侧的该基底上；

一第三栅极，配置于该突起部分上；

一第一介电层，配置于该第三栅极与该突起部分之间；

一电荷捕捉结构，配置于该第一栅极与该基底之间、该第一栅极与该第三栅极之间、该第二栅极与该基底之间以及该第二栅极与该第三栅极之间；以及

一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别配置于该突起部分二侧的该基底中。

7.根据权利要求6所述的快闪记忆体，其特征在于其更包括：

一第二介电层，覆盖该第一栅极、该第二栅极与该第三栅极，其中该第二介电层中具有一开口，且该开口暴露出该第三栅极的至少一部分；以及

一导体层，配置于该开口中。

8.一种快闪记忆体的制造方法，其特征在于其包括：

提供一基底；

在该基底上依序形成一第一介电层与一第一导体层；

移除部分该第一导体层、该第一介电层与该基底，以形成一突起结构；

在该突起结构二侧的该基底中分别形成一第一掺杂区与一第二掺杂区；

在该突起结构的侧壁与该基底上形成一电荷捕捉结构；以及

在该突起结构二侧的该电荷捕捉结构上分别形成一第二导体层与一第三导体层。

9.根据权利要求8所述的快闪记忆体的制造方法，其特征在于其中该电荷捕捉结构、该第二导体层与该第三导体层的形成方法包括：

在该基底与该突起结构的表面上形成一电荷捕捉材料层；

在该基底上形成一导体材料层，并覆盖该电荷捕捉材料层；以及

进行一平坦化工艺，以移除部分该导体材料层与部分该电荷捕捉材料层，直到暴露出该第一导体层。

10.根据权利要求8所述的快闪记忆体的制造方法，其特征在于其中该电荷捕捉结构、该第二导体层与该第三导体层的形成方法包括：

在该基底与该突起结构的表面上形成一电荷捕捉材料层；

在该基底上形成一导体材料层，并覆盖该电荷捕捉材料层；

进行一平坦化工艺，以移除部分该导体材料层，直到暴露出该电荷捕捉材料层；

在该基底上形成一第二介电层，并覆盖该第一导体层、该第二导体层与该电荷捕捉材料层；

在该第二介电层与该电荷捕捉材料层中形成一开口，以暴露出部分该第一导体层；以及

在该开口中形成一第四导体层。