[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200980161197.4 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102549724A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宇井明生;林久贵;菊谷圭介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 杨暄 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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