[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种采用了等离子体的基板处理装置。

背景技术

平行平板型的基板处理装置中，对一对电极中的一个施加RF(高频)以产生等离子体，通过该等离子体对置于施加了RF的电极上、或者另一电极上的基板(Wafer)进行处理。

这里，为了抑制电荷累积损坏、局所异常蚀刻(开槽)，公开了施加脉冲状的正电压作为偏压的技术(参照专利文献1)。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利公开平08-264509号公报

发明内容

【发明要解决的技术问题】

但是，即使施加脉冲状的正电压，也并不一定能够进行有效的处理。

本发明的目的在于，提供一种能够进行有效的处理的基板处理装置。

【解决问题的技术手段】

本发明的实施方式所涉及的基板处理装置，包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；

在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

【发明的效果】

根据本发明，可以提供一种能够进行有效的处理的基板处理装置。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置1的概略构成图。

图2是表示组合脉冲波形的一个实例的图。

图3是表示脉冲电源21的内部构成的一例的示意图。

图4是表示分解组合脉冲波形分解之后的状态的图。

图5是表示对晶片15进行处理时的状态的截面图。

图6是表示晶片15上的电压随时间变化的一例的图表。

图7是表示晶片15上流过的电子电流随时间变化的一例的图表。

图8是表示组合脉冲波形的一例的图表。

图9是表示晶片15上的电压随时间变化的一例的图表。

图10是将图9的一部分放大之后的图表。

图11是表示晶片15上流过的电子电流随时间变化的一例的图表。

图12是表示有效功率Pe(t)随时间变化的一例的图表。

图13是表示有效电能Ee与占空比D的对应关系的一例的图表。

图14是表示延迟时间的示意图。

图15是表示有效功率Pe(t)随时间变化的一例的图表。

图16是表示有效电能Ee与延迟时间td(delay time)的对应关系的一例的图表。

图17是表示有效功率Pe(t)随时间变化的一例的图表。

图18是表示有效电能Ee与正电压脉冲的个数N的对应关系的一例的图表。

图19是表示组合脉冲波形的一例的图。

具体实施方式

(基板处理装置的构成)

图1是本发明的一个方式的基板处理装置1的概略构成图。该基板处理装置1是平行平板型的RIE(ReactiveIonEtching)装置。

晶片(Wafer)15是该实施方式的基板处理装置1的处理对象(基板)。蚀刻腔室11保持对晶片15进行处理的必要环境。处理气体导入管12导入对晶片15进行处理所必要的处理气体。作为处理气体，除了Ar、Kr、Xe、N₂、O₂、CO、H₂等气体之外，还可以适宜使用SF₆、CF₄、C₂F₆、C₄F₈、C₅F₈、C₄F₆、Cl₂、HBr、SiH₄、SiF₄等。

下部电极16具有用于保持晶片15的静电吸盘。上部电极13与下部电极16的上部相对设置，其一端作为接地电位(接地电位)。该上部电极13和下部电极16构成平行平板电极。

等离子体14由施加于下部电极16的RF产生。形成该等离子体14的离子向着图1中的箭头的方向、即晶片15入射。该基板处理装置1利用等离子体14对晶片15进行蚀刻。