[发明专利]具有静电放电保护结构的光刻掩模版有效
| 申请号： | 200980153284.5 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102272885A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | C·T·许;P·J·麦克尔赫尼;J·T·瓦特 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有静电放电保护特征的光刻掩模版。光刻掩模版可以在透明衬底如熔融石英上由金属结构如铬合金结构形成。掩模版上的一些金属结构对应于当在步进-重复光刻工具中使用该掩模版时加工的集成电路上的晶体管和其他电子器件。这些金属器件结构可能由于处理该掩模版过程中的静电荷积累而易于受到损伤。为了防止损伤，在器件结构附近形成平衡环结构。平衡环结构可以被构建为比器件结构对静电放电更敏感，从而在静电放电的情况下，损伤被限制在不重要的掩模版部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 结构 光刻 模版 | ||
【主权项】：
一种光刻掩模版，其包括：透明衬底；以及在所述透明衬底上的金属图案，其形成至少一个平衡环结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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