[发明专利]光半导体装置用引线框及其制造方法有效
| 申请号： | 200980151171.1 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102257647A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 小林良聪;小关和宏;菊池伸 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光半导体装置用引线框及其制造方法。该引线框在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚为0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。该光半导体装置用引线框在可见光区域的反射特性优异并且耐蚀性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 引线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光半导体装置用引线框，其为在基体上形成有由纯银构成的纯银层的引线框，其特征在于，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由对硫化腐蚀的耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。
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