[发明专利]光半导体装置用引线框及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体装置用引线框，其为在基体上形成有由纯银构成的纯银层的引线框，其特征在于，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由对硫化腐蚀的耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。

2.如权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述基体由铜、铜合金、铝及铝合金组成的群中选择的金属或合金构成。

3.如权利要求1或2所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，在所述基体及所述纯银层之间，至少形成有一层由镍、镍合金、钴、钴合金、铜及铜合金组成的群中选择的金属或合金构成的中间层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述纯银层的厚度为0.2～5.0μm。

5.如权利要求1至4中任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，形成所述皮膜的金属材料为由金、金合金、银合金、铂、铂合金、铑、铑合金、铟及铟合金组成的群中选择的金属或合金。

6.如权利要求1至5中任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，形成所述皮膜的金属材料为由银-铜合金、银-铟合金、银-铑合金及银-金合金组成的群中选择的银合金。

7.一种光半导体装置用引线框的制造方法，其用来制造如权利要求1至6中任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述纯银层及所述皮膜由电镀法形成。

8.一种光半导体装置用引线框的制造方法，其用来制造如权利要求3至6中任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述纯银层、所述中间层及所述皮膜由电镀法形成。