[发明专利]光半导体装置用引线框及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光半导体装置用引线框及其制造方法。

背景技术

光半导体装置用引线框目前被广泛用作将LED元件等用于光源的各种显示用、照明用光源。该光半导体装置例如是在基板上配设引线框，在该引线框上安装发光元件之后，为防止热、湿气、氧化等造成的光源劣化或其周边部位的劣化，以密封树脂将上述光源及其周围予以密封。

另外，在该光源的正下方，大多形成有光反射特性优异的银或银合金的层，例如在专利文献1等中公开有将镀银层形成于反射板附近，在专利文献2等中公开有通过将银或银合金皮膜的结晶粒径设为0.5μm～30μm，以提高反射特性等内容。进而，在专利文献2中公开有如下方法：在形成银膜后以200度以上进行30秒以上的热处理，由此制造上述结晶粒径的银膜。

另一方面，作为提高耐蚀性的方法，例如专利文献3公开有如下方法：在镍基底层上形成0.005～0.15μm的钯，在最表层形成0.003～0.05μm的铑。

然而，如专利文献1所公开的技术那样仅单纯形成银或其合金皮膜的情况下，无法避免特别是紫外区波长的大幅度下降，以及可见光区约400nm附近至300nm附近的反射率下降。

另外，若如专利文献2所公开的技术那样将结晶粒径形成为0.5μm以上，则可见光区中的反射率确实有稍许的改善，但是对于400nm以下的波长会出现与专利文献1所公开的技术相同的现象，无法避免紫外区中的反射率下降。另外，若通过热处理调整为上述结晶粒径，则可推测因残留氧的影响造成银发生氧化，反而会导致反射率下降，从而在反射率改善方面无法获得充分的效果。

进而，在专利文献2中公开有针对表层银膜的基底材料的表面粗糙度将最大高度Ry设为0.5μm以上，但构成光的反射现象的因素并非基底部分的粗度，而是最表层附近的粗度会造成影响。因此，在基体或基底电镀上以构成反射层的电镀或蒸镀等形成银膜，因此有可能即使界定基底的粗糙度也没有意义。另外，Ry指粗糙度的最大值与最小值的差，其很可能会仅表示表面某特定部位的凹凸，例如形成为线状的划痕等微小部的数值，而并非表示取决于反射的整体范围的粗度，因而Ry有时并不适合作为表示反射层特性的参数。

进而，在将根据上述文献中公开的技术所制作的引线框用于LED来使用时，随时间经过会出现亮度下降。调查的结果可知，由于密封的树脂中含有微量的硫成分，其使引线框表面的银发生硫化，因而银会变为黑色而使亮度下降。另外，纯银易发生迁移。

另外，在专利文献3所公开的引线框中，与银相比，铑会使对于光半导体装置而言重要的反射特性，尤其重要的包含可见光区的例如波长400～800nm的反射率降低20％以上，因此若仅单纯地被覆较薄的铑，则蓝色系或白色系的光半导体装置无法满足反射率的要求特性。

专利文献1：日本专利特开昭61-148883号公报

专利文献2：日本专利特开2008-016674号公报

专利文献3：日本专利特开2005-129970号公报

发明内容

本发明提供一种光的波长为紫外区的300nm至近红外区的800nm的范围中反射特性良好的引线框，进而散热性、耐蚀性(尤其对硫化腐蚀的耐蚀性)、反射率的长期稳定性优异的引线框及其制造方法。

鉴于上述问题而进行努力研究的结果是获知，若为0.2μm以下厚度的金属层，则紫外区至近红外区的波长范围的光的反射率或多或少会受到下层金属的影响。并且，为进一步提高耐蚀性，若将形成反射层的纯银层表面的算术平均高度Ra控制在0.001～0.2μm的范围内，则可形成上述耐蚀性皮膜而不会造成纯银层露出。通过这样的结果而提供一种光半导体装置用引线框，其在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面设置0.001～0.2μm的耐蚀性优异的金属层，由此，可提供一种既可保持纯银层的高反射率特性的效果，且对硫化腐蚀的耐蚀性优异，从而反射率的长期稳定性优异的光半导体用引线框。

即，本发明提供：

(1)一种光半导体装置用引线框，其为在基体上形成有由纯银构成的纯银层的引线框，其特征在于，该纯银层的算术平均高度(即轮廓算术平均偏差)Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由对硫化腐蚀的耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜；

(2)如第(1)项的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述基体由铜、铜合金、铝及铝合金组成的群中选择的金属或合金构成；