[发明专利]半导体陶瓷以及正特性热敏电阻有效
| 申请号： | 200980149760.6 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102245536A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 后藤正人;胜勇人;阿部直晃;岸本敦司;中山晃庆 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 以及 特性 热敏电阻 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷，其特征在于，其是实质上不含有Pb的非铅类半导体陶瓷，其以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba中的一部分至少被碱金属元素、Bi及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999。
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