[发明专利]M-C-N-O系荧光体的制造方法有效
申请号: | 200980149606.9 | 申请日: | 2009-12-07 |
公开(公告)号: | CN102245734A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 高井淳;岩崎秀治;费瑞·依斯坎达;奥山喜久夫 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人广岛大学;株式会社可乐丽 |
主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C01B35/10;C01F7/00;C09K11/63;C09K11/65 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供制造发光不均匀减少、色纯度提高了的M-C-N-O系荧光体的方法。更具体而言,本发明提供由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)构成的M-C-N-O系荧光体的制造方法,该制造方法包括:将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物加热来生成热解物的工序;将包含所得热解物的产物破碎的工序;以及将所得破碎物焙烧的工序。 | ||
搜索关键词: | 荧光 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种M C N O系荧光体的制造方法,所述M C N O系荧光体由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)构成,该制造方法包括以下工序:将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物加热来生成热解物的工序;将包含所得热解物的产物破碎的工序;以及将所得破碎物在含氧气氛下焙烧的工序。
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