[发明专利]M-C-N-O系荧光体的制造方法有效
| 申请号： | 200980149606.9 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102245734A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高井淳;岩崎秀治;费瑞·依斯坎达;奥山喜久夫 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人广岛大学;株式会社可乐丽 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C01B35/10;C01F7/00;C09K11/63;C09K11/65 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 制造 方法 | ||
1.一种M-C-N-O系荧光体的制造方法，所述M-C-N-O系荧光体由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)构成，该制造方法包括以下工序：
将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物加热来生成热解物的工序；
将包含所得热解物的产物破碎的工序；以及
将所得破碎物在含氧气氛下焙烧的工序。
2.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，该混合物进一步含有分散剂。
3.根据权利要求1或2所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物加热的温度在150℃～600℃的范围内。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物在惰性气体气氛下加热。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，焙烧温度在500℃～1000℃的范围内。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其进一步包括将由焙烧得到的荧光体产物粉碎的工序。
7.根据权利要求6所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，在所述粉碎工序中，将该荧光体产物粉碎以使得荧光体产物的平均粒径为1μm以下。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，IIIB族元素(M)是硼(B)。
9.根据权利要求1～7的任一项所述的M-C-N-O系荧光体的制造方法，其中，IIIB族元素(M)是铝(Al)。
10.一种通过权利要求8所述的方法制造的M-C-N-O系荧光体，在IR光谱中，其在1200～1250cm-1观测到的峰强度与在1300～1400cm-1观测到的峰强度之比为0.5以上且2以下。
11.一种通过权利要求1～9的任一项所述的方法制造的、平均粒径为1μm以下的M-C-N-O系荧光体。
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