[发明专利]磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200980144344.7 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102209804A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 冈山浩直;南部光司;金子彰 | 申请（专利权）人： | 东洋钢钣株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;B32B15/08;C23C14/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 11265 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有经高度结晶配向的表面的磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法。所述制造方法包括：将高分子板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使高分子板的活化表面与金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；通过热处理使金属箔双轴结晶配向的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 成长 形成 高分子 积层基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：在高分子板上积层以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔，积层后通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向。
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