[发明专利]磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用以形成磊晶成长膜的高分子积层基板及其制造方法。

背景技术

以前磊晶成长膜形成用基板是使用结晶配向性优异的单晶硅(Si)、单晶砷化镓(GaAs)、单晶蓝宝石(Al₂O₃)等单晶晶圆。

但是，这些单晶晶圆是尺寸即便较大也为300mmΦ左右的砧板，无法通过象卷到卷方式的连续的生产方式进行成膜。

另外，Si等也无强度，在制造步骤的搬送中，不容易操作而需要注意。

另外，所述单晶晶圆由于无法对基板赋予柔性，而所使用的用途也受到限定。

在所述单晶晶圆以外，使磊晶成长膜形成的基板已知：将Ni、Cu、Ag、或这些金属的合金以高压下率进行冷延，对材料整体赋予均匀的应变后，通过热处理使其再结晶，而形成高度双轴结晶配向性的金属基板。

其中，如专利文献1-专利文献5所示，提出Ni或Ni-W合金与其他金属材料的包层材料，但这些材料是中间层或超电导体层的成膜在大于等于600℃的高温下进行或降低饱和磁化、且使表面沿着(200)面结晶配向的材料，通常得不到普及，是特殊且高价的材料。

专利文献1：日本专利第3601830号公报

专利文献2：日本专利第3587956号公报

专利文献3：WO2004/088677号公报

专利文献4：日本专利特开2006-286212号公报

专利文献5：日本专利特开2007-200831号公报

如所述说明，磊晶成长膜的形成用单晶晶圆基板可以列举以下问题。

即，使用高价的单晶基板；单晶基板尺寸也较小，必须进行单片式的步骤处理；基板坚硬、无法赋予柔性；应用面受到限定。

发明内容

因此，本发明的目的是为了解决所述问题而提出具有高度结晶配向的表面的磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法。

(1)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法的特征在于：在高分子板上积层以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔，积层后通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向。

(2)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法的特征在于：包括将高分子板的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；使所述高分子板的活化表面与所述金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向的步骤。

(3)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法的特征在于：包括通过溅镀在高分子板的至少一个表面形成金属层的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；使所述高分子板的金属层表面与所述金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向的步骤。

(4)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据(2)或(3)所述，其特征在于：所述积层时的冷延的压下率小于等于10％。

(5)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据所述(1)至(4)中任一项所述，其特征在于：进行将所述金属箔侧表面的表面粗度Ra调整为大于等于1nm且小于等于40nm的双轴结晶配向。

(6)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据所述(1)至(5)中任一项所述，其特征在于：所述金属箔的厚度为大于等于7μm且小于等于50μm。

(7)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据所述(1)至(6)中任一项所述，其特征在于：所述热处理温度为大于等于150℃且小于等于400℃。

(8)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据所述(1)至(7)中任一项所述，其特征在于：所述金属箔包含总计大于等于0.01％且小于等于1％的Ag、Sn、Zn、Zr、O、N。

(9)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法根据所述(1)至(8)中任一项所述，其特征在于：在通过所述高分子积层基板的制造方法而制造的高分子积层基板的金属面上，进一步形成保护膜。

(10)本发明的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的特征在于：其是通过根据所述(1)至(9)中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法而制造。

发明的效果