[发明专利]磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200980144344.7 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102209804A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 冈山浩直;南部光司;金子彰 | 申请（专利权）人： | 东洋钢钣株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;B32B15/08;C23C14/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 11265 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成长 形成 高分子 积层基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：在高分子板上积层以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔，积层后通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向。
2.一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：包括将高分子板的至少一个表面活化的步骤；
将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；
使所述高分子板的活化表面与所述金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；
通过热处理使所述金属箔双轴结晶配向的步骤。
3.一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：包括通过溅镀在高分子板的至少一个表面形成金属层的步骤；
将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；
使所述高分子板的金属层表面与所述金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；
通过热处理使所述金属箔双轴结晶配向的步骤。
4.根据权利要求2或3所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：所述积层时的冷延的压下率小于等于10％。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：进行将所述金属箔侧表面的表面粗度Ra调整为大于等于1nm且小于等于40nm的双轴结晶配向。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：所述金属箔的厚度为大于等于7μm且小于等于50μm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：所述热处理温度为大于等于150℃且小于等于400℃。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：所述金属箔总计包含大于等于0.01％且小于等于1％的Ag、Sn、Zn、Zr、O、N。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：在通过所述高分子积层基板的制造方法而制造的高分子积层基板的金属面上，进一步形成保护膜。
10.一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板，其特征在于：其是通过根据权利要求1至9中任一项所述的磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法而制造。
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