[发明专利]多晶体管存储单元

摘要

本发明涉及一种设置在半导体衬底1上的包括存取晶体管5和存储晶体管6的多晶体管例如双晶体管存储单元。所述存取晶体管5包括存取沟道区14、第一注入和第二注入、第一扩散注入和第二扩散注入以及存取栅极22，其中所述存取沟道区14设置在第一注入和第二注入的中间，所述第一注入和第二注入设置在第一扩散注入和第二扩散注入的中间，所述存取栅极22设置在存取沟道区14的上方。所述存储晶体管6包括存储沟道区23、第三注入和第四注入、第三扩散注入和第四扩散注入、存储栅极堆叠7和存储栅极21，所述存储沟道区23设置在所述第三注入和第四注入的中间，所述第三注入和第四注入设置在第三扩散注入和第四扩散注入的中间，所述存储栅极堆叠7设置在存储沟道区23的上方，以及所述存储栅极21设置在存储栅极堆叠7的上方。根据本发明所述的这种多晶体管例如双晶体管存储单元提供了改进的可靠性。

主权项

一种设置在半导体衬底(1)上的多晶体管存储单元，包括：‑存取晶体管(5)和存储晶体管(6)；‑所述存取晶体管(5)包括存取沟道区(14)、第一注入和第二注入、第一扩散注入和第二扩散注入以及存取栅极(22)，其中：‑所述存取沟道区(14)设置在第一注入和第二注入的中间；‑所述第一注入和第二注入设置在第一扩散注入和第二扩散注入的中间；‑所述存取栅极(22)设置在存取沟道区(14)的上方；‑所述存储晶体管(6)包括存储沟道区(23)、第三注入和第四注入、第三扩散注入和第四扩散注入、存储栅极堆叠(7)和存储栅极(21)，其中：‑所述存储沟道区(23)设置在所述第三注入和第四注入的中间；‑所述第三注入和第四注入设置在第三扩散注入和第四扩散注入的中间；‑所述存储栅极堆叠(7)设置在存储沟道区(23)的上方，以及‑所述存储栅极(21)设置在存储栅极堆叠(7)的上方。