[发明专利]光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备无效
| 申请号： | 200980140703.1 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102187468A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 福田秀雄;伊势浩二;宫本伸一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;G11B7/13;H01L23/02;H01L23/08;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备。半导体基板(101)和玻璃板(102)在半导体基板(101)的周边部通过粘结层(103)粘结，在由半导体基板(101)、玻璃板(102)及粘结层(103)包围的部分形成中空区域(105)。在中空区域(105)的与在半导体基板(101)的背面等间隔地配置的凸点(106)分别对应的位置上形成有加强用粘结层(104)。通过加强用粘结层(104)使半导体基板(101)具有经得起检查用探头(200)的载荷的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 使用 拾取 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种光半导体装置，其特征在于，具备：在第一主面上形成有有源元件的半导体基板；在所述半导体基板的另一主面上形成的多个电极端子；以与所述有源元件对置的方式隔开间隔地设置在所述第一主面上的透光性部件；在所述第一主面上的周边部上形成的密封部；在所述第一主面上的所述有源元件、所述透光性部件及所述密封部之间形成的中空区域；在所述中空区域内形成至少一处以上的缓冲部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980140703.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字PLL电路及通信装置
- 下一篇：多晶体管存储单元
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
