[发明专利]光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备

权利要求书

1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

在第一主面上形成有有源元件的半导体基板；

在所述半导体基板的另一主面上形成的多个电极端子；

以与所述有源元件对置的方式隔开间隔地设置在所述第一主面上的透光性部件；

在所述第一主面上的周边部上形成的密封部；

在所述第一主面上的所述有源元件、所述透光性部件及所述密封部之间形成的中空区域；

在所述中空区域内形成至少一处以上的缓冲部。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板的第一主面上的所述密封部的设置区域未形成有源元件及无源元件。

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板的第一主面上的所述缓冲部的设置区域未形成有源元件及无源元件。

4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述缓冲部等间隔地配置在所述中空区域内。

5.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述缓冲部形成在所述半导体基板的第一主面上的、与在所述半导体基板的另一主面上配置的至少一个以上的电极端子对置的位置。

6.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的第一主面上的所述缓冲部的设置面积大于与所述缓冲部分别对应的电极端子的与所述半导体基板的另一主面相接的面积。

7.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板上形成的有源元件中的至少一个是根据入射光量而输出光电流的受光元件，在相对于形成有该受光元件的位置位于隔着所述半导体基板的正下方的位置未形成电极端子。

8.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述密封部由粘结层形成。

9.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述密封部是在支承体的上下具有粘结层的结构。

10.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述缓冲部由粘结层形成。

11.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述缓冲部是在支承体的上下具有粘结层的结构。

12.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述缓冲部中的接近所述半导体基板的角部的至少一处所述缓冲部的形状与其他所述缓冲部的形状不同。

13.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述缓冲部中的接近所述半导体基板角部的至少一处所述缓冲部的配置位置上未配置所述缓冲部。

14.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述密封部中，接近所述半导体基板的角部的至少一处所述密封部的形状与其他所述密封部的形状不同。

15.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述密封部上形成有标记。

16.根据权利要求15所述的光半导体装置，其特征在于，

所述标记是将图形、文字及数字的任一种或任两种以上组合的标记。

17.一种光拾取装置，其特征在于，

具备权利要求1所述的光半导体装置。

18.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求1所述的光半导体装置。