[发明专利]光半导体装置及使用其的光拾取装置以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及使用了芯片尺寸封装的光半导体装置，详细来说，涉及缓和检查时施加到凸点部分的物理应力而减少应力破损的光半导体装置及使用此种光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备。

背景技术

近年来，伴随着半导体集成电路装置的高集成化、高功能化，电路的大规模化不断发展，因而使得半导体芯片的大型化，甚至半导体封装体的大型化。另一方面，由于电子设备越发小型化，因此半导体封装体相对于电子设备的尺寸成为课题。

光拾取装置用的受光放大电路由多通道的放大器构成，该放大器通过多个受光元件接受向CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)以及BD(Blu-ray Disc)等光盘介质照射激光而产生的反射光，并将光电流转换成电压而进行输出。

另外，对CD使用红外激光元件作为光源，对DVD使用红色激光元件作为光源，对BD使用蓝紫激光元件光源作为光源。近年来，将红外和红色这两种波长的激光元件形成在单片(monolithic)上的单片双波长激光元件逐渐普及。在此种单片双波长激光元件中，由于各自的发光位置以确定的间隔配置且光轴成为双系统，因此受光侧也需要将与各个波长相对应的专用的受光元件及放大电路形成在同一半导体基板上，因而放大器的通道数增加。而且，由于还需要应对BD，因此放大器的通道数越发增多，半导体芯片增大，使其模块化的封装体以至此为止的尺寸已无法容许。而且尤其是在应对BD时，由于使用波长为容易引起化学变化的405nm左右的蓝紫光，因此对于在封装体内部使用的部件也需要充分的注意。

因此，近年来，提出了芯片尺寸封装(以下，简称为CSP)作为减小封装体尺寸的结构。具体而言，出现了一种光半导体芯片，其形成从半导体基板的表面向背面贯通的电极，并在该半导体基板的背面侧形成再配线和作为电极端子的凸点(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-228837号公报

然而，在检查CSP结构的光半导体装置的电特性时，将检查用探头同时按压到在半导体基板的背面配置的全部的凸点上，获得凸点与检查用探头的电接触，因而检查用探头的载荷施加给各凸点。该载荷也施加给半导体基板，而仅通过该半导体基板来吸收检查用探头的载荷。其结果是，半导体基板经不住检查用探头的载荷，而半导体基板的凸点的周边产生裂纹，最坏的情况是半导体基板发生破损。而且，即使不是像凸点端子那样从基板表面突出的端子，在使用探头的检查中，也会发生因探头载荷使基板发生破损的情况。

今后，由于为了实现CSP的进一步小型化而减薄CSP结构的厚度，因此需要实现小型、薄型化及坚固性的CSP结构。

另外，伴随封装体的小型化，在成套安装时难以取得封装体的方向识别，因此还存在反方向安装封装体的课题。

发明内容

因此，本发明鉴于上述课题，目的在于提供一种在CSP的检查中，不会因检查用探头的载荷使半导体基板发生破损的可靠性高且容易取得封装体的方向识别的光半导体装置、使用该光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备。

为了实现上述目的，本发明的光半导体装置的特征在于，具备：在第一主面上形成有有源元件的半导体基板；在所述半导体基板的另一主面上形成的多个电极端子；以与所述有源元件对置的方式隔开间隔地设置在所述第一主面上的透光性部件；在所述第一主面上的周边部上形成的密封部；在所述第一主面上的所述有源元件、所述透光性部件及所述密封部之间形成的中空区域；在所述中空区域内形成至少一处以上的缓冲部。

根据该结构，不仅在半导体基板的周边部，而且在中空区域也配置能够分散检查用探头的载荷的缓冲部，因此能够减少因检查用探头的载荷引起的半导体基板的破损。

另外，为了提高封装体的方向识别，使所述缓冲部中的接近半导体基板的角部的至少一处的缓冲部的形状与其他缓冲部的形状不同，或在所述缓冲部中的接近半导体基板的角部的至少一处的缓冲部的配置位置上不配置缓冲部即可。

发明效果

根据本发明，起到提供一种在CSP的检查中，不会因检查用探头的载荷使半导体基板发生破损的可靠性高且容易取得封装体的方向识别的光半导体装置、及使用该光半导体装置的光拾取装置、以及电子设备的效果。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。

图2是图1的II-II剖视图。

图3是表示本发明的第一实施方式的另一光半导体装置的结构的剖视图。

图4是表示本发明的第二实施方式的光半导体装置的结构的俯视图。