[发明专利]半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该除去液的残渣除去方法

摘要

本发明提供一种能够在短时间内完全除去干式工艺后的残渣的药液，其对Low-k膜的损伤比现有技术小，抑制Cu的腐蚀，通过不除去在Cu表面存在的在干式工艺中受到损伤形成的薄膜而使其残留，不会发生Cu表面的龟裂和表面粗糙。具体而言，提供一种含有一元羧酸的胺盐、和/或与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸盐以及水的干式工艺后的残渣除去液，该残渣除去液包括下述(A)或(B)，(A)是包括(1)25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸、(2)一元羧酸的胺盐和/或(3)选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种、以及(4)水的水溶液，该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以下等，(B)是包括(5)一元羧酸的胺盐、和/或(6)与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐、以及(7)水的水溶液，该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以上等。

主权项

一种残渣除去液，其是含有一元羧酸的胺盐、和/或与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸盐以及水的干式工艺后的残渣除去液，该残渣除去液的特征在于：包括下述(A)或(B)，(A)是包括下述(1)、(2)和/或(3)、以及(4)的水溶液，(1)是25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸，(2)是一元羧酸的胺盐，(3)是选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种，(4)是水，该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以下，或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以下，或者在(2)和(3)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以下，(B)是包括下述(5)、和/或(6)、以及(7)的水溶液，(5)是一元羧酸的胺盐，(6)是与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐，(7)是水，该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以上，或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以上，或者在(5)和(6)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以上。