[发明专利]半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该除去液的残渣除去方法有效

专利信息
申请号: 200980133415.3 申请日: 2009-08-04
公开(公告)号: CN102132385A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 中村新吾 申请(专利权)人: 大金工业株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L21/027
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺 残渣 除去 使用 方法
【权利要求书】:

1.一种残渣除去液,其是含有一元羧酸的胺盐、和/或与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸盐以及水的干式工艺后的残渣除去液,该残渣除去液的特征在于:

包括下述(A)或(B),

(A)是包括下述(1)、(2)和/或(3)、以及(4)的水溶液,

(1)是25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸,

(2)是一元羧酸的胺盐,

(3)是选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种,

(4)是水,

该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以下,或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以下,或者在(2)和(3)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以下,

(B)是包括下述(5)、和/或(6)、以及(7)的水溶液,

(5)是一元羧酸的胺盐,

(6)是与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐,

(7)是水,

该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以上,或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以上,或者在(5)和(6)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以上。

2.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

包括所述(B)。

3.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(B)中,所述(5)的一元羧酸是乙酸或丙酸,所述(6)的与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。

4.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(B)中,所述(5)和(6)的胺盐分别为甲胺、乙胺、丁胺、哌啶、吗啉、乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺的盐。

5.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(B)中,pH为6~9.5。

6.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(B)中,含有0.05~30重量%的所述(5)一元羧酸的胺盐和/或所述(6)与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐。

7.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

包括所述(A)。

8.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,所述(1)25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸是无机酸、一元羧酸或多元羧酸。

9.如权利要求8所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,所述无机酸是碳酸或亚硝酸,所述一元羧酸是乙酸或丙酸,所述多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。

10.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,所述(2)的一元羧酸是乙酸或丙酸,所述(3)的与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。

11.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,所述(2)和(3)的胺盐分别为甲胺、乙胺、丁胺、哌啶、吗啉、乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺的盐,(2)的季铵盐是四甲基铵的盐。

12.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,pH为4~6。

13.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

在所述(A)中,含有0.05~30重量%的所述(1)25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸以及0.05~30重量%的(2)一元羧酸的胺盐和/或(3)选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种。

14.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

还含有氟化合物。

15.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:

还含有中性有机化合物。

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