[发明专利]半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该除去液的残渣除去方法有效
| 申请号: | 200980133415.3 | 申请日: | 2009-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102132385A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 中村新吾 | 申请(专利权)人: | 大金工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 工艺 残渣 除去 使用 方法 | ||
1.一种残渣除去液,其是含有一元羧酸的胺盐、和/或与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸盐以及水的干式工艺后的残渣除去液,该残渣除去液的特征在于:
包括下述(A)或(B),
(A)是包括下述(1)、(2)和/或(3)、以及(4)的水溶液,
(1)是25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸,
(2)是一元羧酸的胺盐,
(3)是选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种,
(4)是水,
该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以下,或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以下,或者在(2)和(3)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以下,
(B)是包括下述(5)、和/或(6)、以及(7)的水溶液,
(5)是一元羧酸的胺盐,
(6)是与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐,
(7)是水,
该水溶液的pH在该一元羧酸的25℃时的pKa以上,或在该多元羧酸的25℃时的pKa2以上,或者在(5)和(6)共存时在一元羧酸的25℃时的pKa和多元羧酸的25℃时的pKa2中的大的值以上。
2.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
包括所述(B)。
3.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(B)中,所述(5)的一元羧酸是乙酸或丙酸,所述(6)的与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。
4.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(B)中,所述(5)和(6)的胺盐分别为甲胺、乙胺、丁胺、哌啶、吗啉、乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺的盐。
5.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(B)中,pH为6~9.5。
6.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(B)中,含有0.05~30重量%的所述(5)一元羧酸的胺盐和/或所述(6)与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的胺盐。
7.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
包括所述(A)。
8.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,所述(1)25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸是无机酸、一元羧酸或多元羧酸。
9.如权利要求8所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,所述无机酸是碳酸或亚硝酸,所述一元羧酸是乙酸或丙酸,所述多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。
10.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,所述(2)的一元羧酸是乙酸或丙酸,所述(3)的与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸是丁二酸、戊二酸或己二酸。
11.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,所述(2)和(3)的胺盐分别为甲胺、乙胺、丁胺、哌啶、吗啉、乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺的盐,(2)的季铵盐是四甲基铵的盐。
12.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,pH为4~6。
13.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
在所述(A)中,含有0.05~30重量%的所述(1)25℃时的pKa为3以上的布朗斯台德酸以及0.05~30重量%的(2)一元羧酸的胺盐和/或(3)选自与铜形成七元环以上的螯合物的多元羧酸的铵盐、胺盐和季铵盐中的至少1种。
14.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
还含有氟化合物。
15.如权利要求1所述的残渣除去液,其特征在于:
还含有中性有机化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





