[发明专利]具有矩形底部电极板的STT-MRAM位单元无效
| 申请号： | 200980131352.8 | 申请日： | 2009-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102119423A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 威廉·夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元。所述STT-MRAM包括矩形底部电极(BE)板和处于所述矩形底部电极(BE)板上的存储元件。所述矩形底部电极(BE)板的宽度与所述存储元件的宽度之间的差等于或大于预定最小间隔要求。所述底部电极(BE)板的宽度大体上等于有源层的宽度或多个金属层的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 矩形 底部 极板 stt mram 单元 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)位单元，其包含：矩形底部电极(BE)板；以及处于所述矩形底部电极(BE)板上的存储元件，其中所述矩形底部电极(BE)板的宽度与所述存储元件的宽度之间的差大体上等于或大于最小间隔要求。
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