[发明专利]具有矩形底部电极板的STT-MRAM位单元无效
| 申请号： | 200980131352.8 | 申请日： | 2009-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102119423A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 威廉·夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 矩形 底部 极板 stt mram 单元 | ||
1.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元，其包含：
矩形底部电极(BE)板；以及
处于所述矩形底部电极(BE)板上的存储元件，
其中所述矩形底部电极(BE)板的宽度与所述存储元件的宽度之间的差大体上等于或大于最小间隔要求。
2.根据权利要求1所述的STT-MRAM位单元，其中所述矩形底部电极(BE)板的所述宽度与所述存储元件的所述宽度之间的所述差大体上等于所述预定最小间隔要求。
3.根据权利要求1所述的STT-MRAM位单元，其中所述存储元件为磁性隧道结(MTJ)存储元件。
4.根据权利要求1所述的STT-MRAM位单元，其进一步包含：
多晶硅层；
字线；
耦合到所述存储元件的字线晶体管。
5.根据权利要求4所述的STT-MRAM位单元，其中所述字线晶体管经由所述矩形底部电极(BE)板耦合到所述存储元件。
6.根据权利要求4所述的STT-MRAM位单元，其中所述字线晶体管与所述存储元件串联耦合。
7.根据权利要求4所述的STT-MRAM位单元，其进一步包含：
存储元件晶种；
触点；以及
通孔互连件。
8.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元，其包含：
矩形底部电极(BE)板；
处于所述矩形底部电极(BE)板上的存储元件；
有源层；以及
多个金属层，
其中所述底部电极(BE)板的宽度大体上等于所述有源层的宽度或所述多个金属层中的一者的宽度。
9.根据权利要求8所述的STT-MRAM位单元，其中所述矩形底部电极(BE)板的宽度与所述有源层的宽度或所述多个金属层的宽度之间的差等于或大于预定最小间隔要求。
10.根据权利要求8所述的STT-MRAM位单元，其中所述多个金属层包括M1-M6层。
11.根据权利要求8所述的STT-MRAM位单元，其中所述存储元件为磁性隧道结(MTJ)存储元件。
12.根据权利要求8所述的STT-MRAM位单元，其进一步包含：
多晶硅层；
字线；以及
耦合到所述存储元件的字线晶体管。
13.根据权利要求12所述的STT-MRAM位单元，其中所述字线晶体管经由所述矩形底部电极(BE)板耦合到所述存储元件。
14.根据权利要求12所述的STT-MRAM位单元，其中所述字线晶体管与所述存储元件串联耦合。
15.根据权利要求12所述的STT-MRAM位单元，其进一步包含：
存储元件晶种；
触点；以及
通孔互连件。
16.一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元阵列，其包含：多个STT-MRAM位单元，
其中所述多个STT-MRAM位单元中的每一者包括：
存储元件；
矩形底部电极(BE)板；
有源层；以及
多个金属层，
其中所述底部电极(BE)板的宽度大体上等于所述有源层的宽度或所述多个金属层中的一者的宽度。
17.根据权利要求16所述的STT-MRAM位单元阵列，其中所述底部电极(BE)板的宽度大体上等于所述存储元件的宽度。
18.根据权利要求16所述的STT-MRAM位单元阵列，其中所述多个金属层包括M1-M6层。
19.根据权利要求16所述的STT-MRAM位单元阵列，其中所述存储元件为磁性隧道结(MTJ)。
20.根据权利要求16所述的STT-MRAM位单元阵列，其进一步包含：
源极线，
其中所述多个STT-MRAM位单元对称地布置于所述源极线的相对侧上。
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