[发明专利]用于用薄金属触头来封装集成电路的方法和系统无效
| 申请号： | 200980127418.6 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102099904A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | L·T·阮;A·波达;S·W·李;A·S·普拉布 | 申请（专利权）人： | 国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于形成触头阵列以供在封装一个或多个集成电路器件时使用的方法和布置。特别地，描述了用于形成具有小于约10µm的厚度、并且在特定实施例中在0.5至2µm之间的厚度的触头的各种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 触头来 封装 集成电路 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于形成用于一个或多个集成电路器件的触头阵列的方法，包括：向衬底上沉积底层涂料，使得衬底上的第一区域未被底层涂料覆盖，并且其中，未被底层涂料覆盖的第一区域形成至少第一图案；在所述衬底上沉积基底金属层；用溶剂来去除底层涂料，由此，不将沉积在未被沉积在底层涂料上的衬底的第一区域上的基底金属层的第一部分与底层涂料一起去除并保持与衬底附接，从而形成触头阵列，并且由此将基底金属层的第二部分和被沉积在底层涂料上的材料的任何其它部分与底层涂料一起去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
