[发明专利]用于用薄金属触头来封装集成电路的方法和系统无效
申请号: | 200980127418.6 | 申请日: | 2009-05-18 |
公开(公告)号: | CN102099904A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | L·T·阮;A·波达;S·W·李;A·S·普拉布 | 申请(专利权)人: | 国家半导体公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;蒋骏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 金属 触头来 封装 集成电路 方法 系统 | ||
1.一种用于形成用于一个或多个集成电路器件的触头阵列的方法,包括:
向衬底上沉积底层涂料,使得衬底上的第一区域未被底层涂料覆盖,并且其中,未被底层涂料覆盖的第一区域形成至少第一图案;
在所述衬底上沉积基底金属层;
用溶剂来去除底层涂料,由此,不将沉积在未被沉积在底层涂料上的衬底的第一区域上的基底金属层的第一部分与底层涂料一起去除并保持与衬底附接,从而形成触头阵列,并且由此将基底金属层的第二部分和被沉积在底层涂料上的材料的任何其它部分与底层涂料一起去除。
2.如权利要求1所述的方法,还包括在沉积底层涂料之后和在沉积基底金属层之前在衬底上溅射粘附前体层,其中,不将被沉积在衬底的第一区域上的粘附前体层的第一部分与底层涂料一起去除,并且将覆盖底层涂料的粘附前体的第二部分与底层涂料一起去除,使得沉积在粘附前体层的第一部分上的基底金属层的第一部分在去除底层涂料之后借助于粘附前体层保持与衬底附接。
3.如权利要求1或2所述的方法,还包括选择性地镀覆基底金属层的一部分以增加基底金属层的厚度,其中,由无电镀过程、电镀过程和在基底金属层的第一部分上沉积导电油墨的印刷过程所组成的组中的一个来实现该选择性镀覆。
4.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述衬底在沉积底层涂料之前被从第一卷轴打开并随后在逐卷过程中在沉积底层涂料之后被重新卷到第二卷轴上。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,形成第一图案的第一区域被图案化成包括至少一个器件区域阵列的至少一个引线框架面板图案,并且其中,每个器件区域被图案化成具有触头阵列的无铅引线框架式图案。
6.如前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括在沉积基底金属层之前沉积焊料可润湿层,所述焊料可润湿层适合于与外部触头连接。
7.如权利要求6所述的方法,还包括在沉积焊料可润湿层之后和在沉积基底金属层之前沉积阻挡层。
8.一种用于形成用于一个或多个集成电路器件的触头阵列的方法,包括:
在衬底上沉积基底金属层;
在基底金属层上使用激光烧蚀来限定由基底金属层形成的触头阵列;
在使用激光烧蚀之后选择性地镀覆基底金属层的一部分以增加触头阵列的厚度。
9.如权利要求8所述的方法,其中,通过掩模来溅射基底金属层以粗略地限定触头阵列,并且其中,使用激光烧蚀来使触头的几何结构变锐利。
10.如权利要求8或9所述的方法,还包括在沉积基底金属层之前在衬底上溅射粘附前体层。
11.如权利要求8-10中的任一项所述的方法,其中,由无电镀过程、电镀过程和在基底金属层的第一部分上沉积导电油墨的印刷过程所组成的组中的一个来实现所述选择性镀覆。
12.如权利要求8-11中的任一项所述的方法,还包括在镀覆基底金属层之后在基底金属层上沉积保护层。
13.如权利要求8-12中的任一项所述的方法,其中,所述基底金属层被图案化成包括至少一个器件区域阵列的至少一个引线框架面板图案,并且其中,每个器件区域被图案化成具有相关触头阵列的无铅引线框架式图案。
14.如前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括将衬底切割成面板,每个面板具有常规引线框架面板覆盖区,其中,每个面板包括至少一个器件区域阵列。
15.如权利要求5或13所述的方法,还包括将多个管芯附着和电连接到所述至少一个器件区域阵列,使得每个管芯位于相关器件区域内。
16.如权利要求15所述的方法,其中,每个器件区域还包括被从基底金属层图案化的管芯附着焊盘,使得相关器件区域内的触头阵列在圆周上围绕相关管芯焊盘,并且其中,每个管芯的背表面位于相关管芯附着焊盘上。
17.如权利要求15或16所述的方法,还包括
用包括管芯和触头的至少一部分的成型材料将所述至少一个器件区域阵列密封在条上;
在密封之后去除所述衬底,同时留下与所述成型材料附接的至少所述基底金属层,从而使触头的至少底面被暴露;以及
单颗化所述至少一个器件区域阵列以提供许多单独的集成电路封装。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家半导体公司,未经国家半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980127418.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种桌面自动清洁装置及其系统
- 下一篇:尤其是用于电磁阀的金属复合构件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造