[发明专利]具有互连的晶圆级集成模块

摘要

本发明公开了用于制造集成电路(IC)器件(90)的方法和装置。首先，提供具有第一或顶表面和第二或底表面的晶圆(10)。晶圆可以是坯料被抛光或未抛光的硅晶圆等。在晶圆的第一坯料表面(12)上设置高开口率的微结构(16)，这些微结构被具体设计用于提供晶粒级的互连构造和映射。例如，在晶圆制造设施，为了器件制造，进一步处理带有预形成的导电互连微结构(16)的晶圆。一旦制造了正面(12)器件，接着从器件晶圆(10)的与第一面相对的第二面(14)除去硅材料(20)，以暴露高温导电互连微结构(16)。使用导电金属在器件晶圆的第二面上形成触点。这些触点电连接到微结构的内部，由此与功能器件(26)电连接。沿着晶粒(90(1))、(90(2))之间的分离区(88)分离晶粒，以制备单独的功能和封装晶粒，每个晶粒用作完全封装的IC器件(90)。

主权项

一种制造带有互连的晶圆级集成模块的方法，包括：提供具有第一面和第二面的晶圆；在所述晶圆的第一面中形成凹陷；在所述晶圆的第一面上沉积第一绝缘层；在所述绝缘层上沉积第一导电层，所述第一导电层具有第一面和第二面；在所述导电层的第一面上沉积第二绝缘层；暴露所述第一导电层；在所述晶圆的第一面上制造半导体功能器件；从所述晶圆的第二面中，暴露所述第一导电层的第二面；在被暴露的所述第一导电层的第二面上沉积第三绝缘层；图案化所述第三绝缘层并且暴露所述第一导电层中的部分；在被图案化的所述第三绝缘层上沉积第二导电层；以及暴露第二层导电层以用于与外部器件的触点。