[发明专利]具有互连的晶圆级集成模块

权利要求书

1.一种制造带有互连的晶圆级集成模块的方法，包括：

提供具有第一面和第二面的晶圆；

在所述晶圆的第一面中形成凹陷；

在所述晶圆的第一面上沉积第一绝缘层；

在所述绝缘层上沉积第一导电层，所述第一导电层具有第一面和第二面；

在所述导电层的第一面上沉积第二绝缘层；

暴露所述第一导电层；

在所述晶圆的第一面上制造半导体功能器件；

从所述晶圆的第二面中，暴露所述第一导电层的第二面；

在被暴露的所述第一导电层的第二面上沉积第三绝缘层；

图案化所述第三绝缘层并且暴露所述第一导电层中的部分；

在被图案化的所述第三绝缘层上沉积第二导电层；以及

暴露第二层导电层以用于与外部器件的触点。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括所述凹陷形成微结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述导电层是高温导电膜。

4.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，其中通过化学机械抛光来暴露导电互连膜。

5.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，还包括向导电互连膜的第一面提供衬底，以保护所述晶圆的第一面。

6.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，还包括向所述第二层导电层沉积导电材料以用于与外部器件的触点。

7.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，其中制造所述半导体功能器件包括沉积形成所述功能器件的额外层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述额外层形成多个功能器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述额外层形成为堆叠形式。

10.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，其中在所述晶圆上形成多个晶粒。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括沿着分离区分离所述多个晶粒。

12.根据权利要求7至9所述的方法，其中所述功能器件是晶体管。

13.根据权利要求7至9和12所述的方法，其中所述多个功能器件是多个晶体管。

14.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，还包括在制造之后测试所述半导体器件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中测试所述半导体器件包括在所述晶圆的第一面上形成测试焊盘。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括在测试之后且在随后器件的制造之前去除所述测试焊盘。

17.根据之前权利要求中的任一项所述的方法，还包括沉积第四绝缘层以保护所述第二导电层。