[发明专利]存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法有效
| 申请号： | 200980118151.4 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102037515A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 构造 形成 方法 电流 传导 单元 编程 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：第一字线；第二字线；位线；第一存储器单元，其包括第一二极管及第一存储器元件，所述第一二极管经配置以选择性地允许电流从所述第一字线穿过所述第一存储器元件流动到所述位线且抑制电流从所述位线穿过所述第一存储器元件流动到所述第一字线；及第二存储器单元，其包括第二二极管及第二存储器元件，所述第二二极管经配置以允许电流从所述第二字线穿过所述第二存储器元件流动到所述位线且抑制电流从所述位线穿过所述第二存储器元件流动到所述第二字线。
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