[发明专利]存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

第一字线；

第二字线；

位线；

第一存储器单元，其包括第一二极管及第一存储器元件，所述第一二极管经配置以选择性地允许电流从所述第一字线穿过所述第一存储器元件流动到所述位线且抑制电流从所述位线穿过所述第一存储器元件流动到所述第一字线；及

第二存储器单元，其包括第二二极管及第二存储器元件，所述第二二极管经配置以允许电流从所述第二字线穿过所述第二存储器元件流动到所述位线且抑制电流从所述位线穿过所述第二存储器元件流动到所述第二字线。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一存储器元件可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者且所述第二存储器元件可选择性地配置成所述两个或两个以上不同电阻状态中的一者。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一二极管包括第一电介质材料、第一金属电极及第二金属电极且所述第二二极管包括第二电介质材料、第三金属电极及第四金属电极。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一电介质材料包括选自二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氮化铝、氧化铪、氧化锆、氧化镁、氧化钇及氧化铌中的至少一种材料，且所述第二电介质材料包括选自二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氮化铝、氧化铪、氧化锆、氧化镁、氧化钇及氧化铌中的至少一种材料。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一电介质材料包括不同电介质材料的多个层，所述多个层经配置以在跨越所述第一金属电极与所述第二金属电极施加电压时在所述多个层中的所述层之间的结处形成量子阱。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一存储器元件包括钙钛矿材料、相变材料、硫族化物材料、离子传输材料、电阻切换材料及聚合材料中的一者或一者以上。

7.一种存储器装置构造，其包括：

衬底；

第一字线，其位于所述衬底上方；

第一存储器单元，其位于所述第一字线上方，所述第一存储器单元包括第一二极管；

位线，其位于所述第一存储器单元上方；

第二存储器单元，其位于所述位线上方，所述第二存储器单元包括第二二极管；

第二字线，其位于所述第二存储器单元上方；且

其中所述第一二极管经配置以允许电流从所述第一字线流动到所述位线并抑制电流从所述位线流动到所述第一字线，且所述第二二极管经配置以允许电流从所述第一字线流动到所述位线并抑制电流从所述位线流动到所述第二字线。

8.根据权利要求7所述的构造，其中所述第一存储器单元包括可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者的第一存储器元件且所述第二存储器单元包括可选择性地配置成所述两个或两个以上不同电阻状态中的一者的第二存储器元件。

9.根据权利要求7所述的构造，其中：

所述第一二极管包括第一电介质材料、第一金属电极及第二金属电极，所述第一电介质材料与所述第一金属电极及所述第二金属电极两者直接物理接触；且

所述第二二极管包括第二电介质材料、第三金属电极及第四金属电极，所述第二电介质材料与所述第三金属电极及所述第四金属电极直接物理接触。

10.根据权利要求9所述的构造，其中所述第一电介质材料包括不同电介质材料的多个层，所述多个层经配置以在跨越所述第一金属电极与所述第二金属电极施加电压时在所述多个层中的所述层之间的结处形成量子阱。

11.根据权利要求10所述的构造，其中所述多个层中的每一层具有不同势垒高度，每一势垒高度和所述多个层中的所述层中的一者的导带与价带之间的能量差相关。

12.根据权利要求10所述的构造，其中所述多个层以增加的势垒高度的次序物理地布置于所述第二金属电极与所述第一金属电极之间，所述多个层中最接近所述第二金属电极的一层具有所述多个层中的最低势垒高度且所述多个层中最接近所述第一金属电极的一层具有所述多个层中的最高势垒高度。