[发明专利]包含使用不同栅极氧化物厚度的多重集成电路的设备有效
| 申请号： | 200980117377.2 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102027433A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·约翰·泰西托雷 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述一种包含多个功能集成电路块的设备，每一功能集成电路块以不同氧化物厚度制造于单片集成电路裸片上。针对不同功能集成电路块使用不同栅极氧化物厚度提供减少的功率消耗且增加处理系统的性能。本发明呈现包含包括处理器核心及存储器元件的功能集成电路块的不同组合的若干实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 使用 不同 栅极 氧化物 厚度 多重 集成电路 设备 | ||
【主权项】：
一种单片集成电路裸片，其包含：a.第一功能集成电路块，其单独地以第一栅极氧化物厚度制造，所述第一功能集成电路块有利地在其功能中使用所述第一栅极氧化物厚度的特性；b.第二功能集成电路块，其单独地以第二栅极氧化物厚度制造，所述第二功能集成电路块有利地在其功能中使用所述第二栅极氧化物厚度的特性；以及c.I/O集成电路块，其以I/O栅极氧化物厚度制造，所述I/O集成电路块耦合到所述第一功能集成电路块及所述第二功能集成电路块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980117377.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
