[发明专利]包含使用不同栅极氧化物厚度的多重集成电路的设备

权利要求书

1.一种单片集成电路裸片，其包含：

a.第一功能集成电路块，其单独地以第一栅极氧化物厚度制造，所述第一功能集成电路块有利地在其功能中使用所述第一栅极氧化物厚度的特性；

b.第二功能集成电路块，其单独地以第二栅极氧化物厚度制造，所述第二功能集成电路块有利地在其功能中使用所述第二栅极氧化物厚度的特性；以及

c.I/O集成电路块，其以I/O栅极氧化物厚度制造，所述I/O集成电路块耦合到所述第一功能集成电路块及所述第二功能集成电路块。

2.根据权利要求1所述的设备，其中第三功能集成电路块耦合所述第一功能集成电路块与所述第二功能集成电路块。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述功能集成电路的第三部分包括电平移位电路，所述电平移位电路用于在所述第一功能集成电路块及所述第二功能集成电路块中的不同电压之间转换。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述功能集成电路的所述第三部分包括同步电路，所述同步电路用于使所述第一功能集成电路块与所述第二功能集成电路块之间的通信同步。

5.根据权利要求2所述的设备，其中所述功能集成电路的所述第三部分包含系统总线。

6.根据权利要求1所述的设备，其中：

a.使用所述第一栅极氧化物厚度的所述第一功能集成电路块包含存储器元件的第一部分；且

b.使用所述第二栅极氧化物厚度的所述第二功能集成电路块包含：

i.所述存储器元件的第二部分；以及

ii.处理器核心。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

a.使用所述第一栅极氧化物厚度的所述第一功能集成电路块包含第一处理器核心；且

b.使用所述第二栅极氧化物厚度的所述第二功能集成电路块包含第二处理器核心。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

a.使用所述第一栅极氧化物厚度的所述第一功能集成电路块包含第一处理器核心；且

b.使用所述第二栅极氧化物厚度的所述第二功能集成电路块包含：

i.第二处理器核心；以及

ii.存储器元件。

9.根据权利要求1所述的设备，其中：

a.使用所述第一栅极氧化物厚度的所述第一功能集成电路块包含第一处理单元，所述第一处理单元由耦合到第一存储器元件的第一处理器核心构成；且

b.使用所述第二栅极氧化物厚度的所述第二功能集成电路块包含第二处理单元，所述第二处理单元由耦合到第二存储器元件的第二处理器核心构成。

10.一种具有多重功能集成电路块的设备，所述多重功能集成电路块针对单片集成电路裸片上的功能装置具有不同栅极氧化物厚度，所述设备包含：

a.多个功能集成电路块，所述多个功能集成电路块中的每一者使用多个功能栅极氧化物厚度中的一者而制造；以及

b.控制电路块，其能够在所述多个功能集成电路块之间切换任务。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制电路块响应于计算机可读媒体中所包含的软件程序，所述软件程序适于控制功能集成电路块之间的所述任务切换。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述软件程序为操作系统。