[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980113897.6 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102017195A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施例提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第一导电半导体层的一端的第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层下的第二电极层；在所述第二电极层的一侧上的绝缘体；以及在所述绝缘体上的被电连接到所述第一导电半导体层的一端的第一电极。
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