[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层下的有源层；

在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述第二导电半导体层下的第二电极层；

在所述第二电极层的一侧上的绝缘体；以及

在所述绝缘体上的被电连接到所述第一导电半导体层的一端的第一电极。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二电极层下的导电支撑构件。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体包括：

在所述第二电极层的一侧上并且在所述第一电极下的底部；和

所述第一电极周围的侧壁部分。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体包括在所述第二电极和所述第二导电半导体层之间的从所述底部部分地延伸的支撑部分。

5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述侧壁部分将所述第二导电半导体层、所述有源层与所述第一电极电绝缘。

6.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中在所述底部上以圆形、多角形或者线形而形成所述第一电极。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二电极层的另一侧和所述第二导电半导体层之间的第二绝缘体、或者在所述第二电极层的所述另一侧的第二绝缘体、和在所述第二绝缘体上的另一第一电极。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极层的反射率等于或者高于50％。

9.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层、以及在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述发光结构下的第二电极层；

在所述发光结构的外侧的被电连接到所述第一导电半导体层的第一电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极层之间的绝缘体。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包括在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的N型半导体层或者P型半导体层。

11.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体将所述第一电极与所述有源层和所述第二导电半导体层的外侧绝缘。

12.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述第一电极与所述第二导电半导体层和所述有源层分离，并且被形成在所述第一导电半导体层的一端下。

13.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中：

设置多个所述第一电极和所述绝缘体，

将所述多个第一电极被分别地设置在所述第二电极层的两侧，并且

将所述多个绝缘体被分别地设置在所述第二电极层的两侧。

14.根据权利要求9所述的半导体发光器件，包括在所述第一导电半导体层上的透明电极层或/和粗糙。

15.根据权利要求9所述的半导体发光器件，包括：

在所述第二电极层下的包括多个图案的欧姆接触层；和

在所述第二电极层和所述欧姆接触层下的导电支撑构件。