[发明专利]半导体发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件。

背景技术

III-V族半导体已经被广泛地应用于诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)这样的光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)这样的高速开关器件、以及照明装置或者显示装置的光源。特别地，使用III族氮化物半导体的发光器件具有与从可视射线到紫外线的区域相对应的直接跃迁带隙并且能够实现高效率光辐射。

氮化物半导体主要被用于LED或者激光二极管(LD)，并且已经继续地进行研究以提高氮化物半导体的光效率或者制造处理。

发明内容

实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括在多个化合物半导体层下的第二电极层和其外侧中的第一电极。

实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括第二电极层，该第二电极层被设置在发光结构下；绝缘体，该绝缘体被设置在第二电极层的一侧上；以及第一电极，该第一电极被设置在绝缘体上。

实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下的有源层；在有源层下的第二导电半导体层；在第二导电半导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第一导电半导体层的一端的第一电极。

实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下的有源层、以及在有源层下的第二导电半导体层；在发光结构下的第二电极层；在发光结构的外侧的被电连接到第一导电半导体层的第一电极；以及在第一电极和第二电极之间的绝缘体。

在附图和下面的描述中提出一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显然的。

附图说明

图1是根据一个实施例的半导体发光器件的侧截面图。

图2是示出布线与图1的第一电极相接合的示例的图。

图3至图8是示出根据一个实施例的制造半导体发光器件的处理的图。

图9是根据另一实施例的半导体发光器件的侧截面图。

具体实施方式

现在详细地参考本公开的实施例，在附图中示出其示例。

在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且还可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者还可以存在一个或者多个中间层。

图1是根据一个实施例的半导体发光器件的侧截面图。图2是示出布线与图1的第一电极相接合的示例的图。

参考图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、第二电极层140、导电支撑构件150、绝缘体160、以及第一电极170。

半导体发光器件100包括使用III-V族化合物半导体的发光二极管(LED)。LED可以是发射诸如蓝色光、红色光或者绿色光这样的有色光的有色LED，或者可以是紫外线(UV)LED。在实施例的精神和范围内可以不同地实现LED的发光。

第一导电半导体层110可以从例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP的III-V族元素的化合物半导体中选择。第一导电掺杂剂被掺杂在第一导电半导体层110中。

当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se以及Te这样的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层，并且可以被形成在单层或者多层中，但是不限于此。

第一电极170被电连接到第一导电半导体层110的一端115。第一电极170可以被设置在第一导电半导体层110的一端115下，或者可以被布置在外侧的行中。具有第一极性的电源被施加给第一电极170。在此，特定形状的粗糙(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110的整个表面上，并且在实施例的精神和范围内可以进行添加或者修改。