[发明专利]用于微电子器件的多层厚金属化结构、包含其的集成电路及包含其的集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200980110705.6 | 申请日： | 2009-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101981672A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | K·J·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于微电子器件的多层厚金属化结构，包括：第一阻障层(111)、在所述第一阻障层上的第一金属层(112)、在所述第一金属层上的第一钝化层(113)、延伸穿过所述第一钝化层的通孔结构(114)、在所述第一钝化层上和在所述通孔结构中的第二阻障层(115)、在所述第二阻障层上的第二金属层(116)以及在所述第二金属层和所述第一钝化层上的第二钝化层(117)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 器件 多层 金属化 结构 包含 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于微电子器件的多层厚金属化结构，所述多层厚金属化结构包括：第一阻障层；在所述第一阻障层上的第一金属层；在所述第一金属层上的第一钝化层；延伸穿过所述第一钝化层的通孔结构；在所述第一钝化层上和在所述通孔结构中的第二阻障层；在所述第二阻障层上的第二金属层；和在所述第二金属层和所述第一钝化层上的第二钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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