[发明专利]用于微电子器件的多层厚金属化结构、包含其的集成电路及包含其的集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种用于微电子器件的多层厚金属化结构，所述多层厚金属化结构包括：

第一阻障层；

在所述第一阻障层上的第一金属层；

在所述第一金属层上的第一钝化层；

延伸穿过所述第一钝化层的通孔结构；

在所述第一钝化层上和在所述通孔结构中的第二阻障层；

在所述第二阻障层上的第二金属层；和

在所述第二金属层和所述第一钝化层上的第二钝化层。

2.根据权利要求1的多层厚金属化结构，其中所述第一阻障层包括钛。

3.根据权利要求2的多层厚金属化结构，其中所述第一金属层和所述第二金属层包括铜。

4.根据权利要求3的多层厚金属化结构，其中所述第一钝化层包括氮化硅。

5.根据权利要求4的多层厚金属化结构，其中所述第一金属层具有约2微米的厚度；以及所述第二金属层具有约7微米的厚度。

6.根据权利要求5的多层厚金属化结构，其中所述第一钝化层具有约0.5微米至约1微米之间的厚度。

7.一种集成电路，包括：

具有形成在其上的多个布线层的半导体衬底，所述多个布线层包括第一布线层；

在所述第一布线层上的第一阻障层；

在所述第一阻障层上的第一金属层；

在所述第一金属层上的第一钝化层；

延伸穿过所述第一钝化层的第一通孔结构；

在所述第一钝化层上和在所述第一通孔结构中的第二阻障层；

在所述第二阻障层上的第二金属层；

在所述第二金属层和所述第一钝化层上的第二钝化层；

在所述第二钝化层上的电绝缘材料；

延伸穿过所述电绝缘材料和所述第二钝化层的第二通孔结构；

在所述电绝缘材料上和在所述第二通孔结构中的第三阻障层；和

在所述第三阻障层上的导电凸块。

8.根据权利要求7的集成电路，其中所述电绝缘材料是旋压聚合体介电材料。

9.根据权利要求8的集成电路，其中：

所述第一阻障层包括钛；

所述第一金属层和所述第二金属层包括铜；以及

所述第一钝化层和所述第二钝化层包括氮化硅。

10.根据权利要求9的集成电路，其中：

所述第一金属层具有不大于约2微米的厚度；

所述第二金属层具有至少约2微米的厚度；以及

所述第一钝化层具有约0.5微米至约1微米之间的厚度。

11.根据权利要求7的集成电路，其中：

所述第一金属层定位在第一方向；以及

所述第二金属层定位在与所述第一方向基本垂直的第二方向。

12.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：

提供具有形成在其上的多个布线层的半导体衬底，所述多个布线层包括第一布线层；

在所述第一布线层上沉积第一阻障层；

在所述第一阻障层上沉积第一金属层；

去除部分所述第一金属层；

去除部分所述第一阻障层；

在所述第一金属层上沉积第一钝化层；以及

在所述第一钝化层中刻蚀通孔结构。

13.根据权利要求12的方法，还包括：

在所述第一钝化层上以及在所述通孔结构中沉积第二阻障层；

在所述第二阻障层上沉积第二金属层；

在所述第二金属层和所述第一钝化层上沉积第二钝化层；

在所述第二钝化层上沉积电绝缘材料；

在所述电绝缘材料和所述第二钝化层中刻蚀第二通孔结构；

在所述电绝缘材料上以及在所述第二通孔结构中沉积第三阻障层；以及

在所述第三阻障层上形成导电凸块。

14.根据权利要求13的方法，其中沉积所述第二金属层包括使得所述第二金属层具有约7微米的厚度。

15.根据权利要求13的方法，其中沉积所述电绝缘材料包括形成旋压聚合体介电材料。

16.根据权利要求13的方法，还包括：

在第一方向定位所述第一金属层；以及

在与所述第一方向基本垂直的第二方向定位所述第二金属层。