[发明专利]用于微电子器件的多层厚金属化结构、包含其的集成电路及包含其的集成电路的制造方法

说明书

技术领域

本发明公开的实施例一般涉及集成电路及其制造，并且尤其涉及集成电路金属化堆叠。

发明背景技术

传统上集成电路(IC)封装包括形成所谓的金属化堆叠的散置有通孔的各种金属层。这种金属化堆叠提供电源和对例如晶体管等下面的有源器件的其它必要的电连接。微处理器设计上一种新兴趋势是从芯片组到中央处理单元(CPU)产生附加的功能，并且这种趋势连同加入到对CPU的性能需求的其他因素需要增加数量的片上信号连接。这种增加连同减小的芯片尺寸意味着技术正迅速地接近将所有信号连接设置在芯片周围附近将不再是可行的点，并因此至少一些信号连接必须设置在芯片的中间。

在芯片中间形成一些所需信号连接的一种方式将是使用目前与用于制造金属化堆叠中现有的厚金属层相同的工艺流程在金属化堆叠中制造附加的厚金属层。这种现有的厚金属层工艺流程在例如K.Mistry等人的A 45nm Logic Technology with High-k+Metal Gate Transistors，Strained Silicon，9Cu Interconnect Layers，193nm Dry Patterning，and 100％Pb-fre Packaging，Electron Devices Meeting 2007，IEDM 2007，IEEE International，10-12Dec.2007，pp.247-250中被论述。然而，使用这种工艺流程来增加另一厚金属层对于大批量制造是难于实施的，因为晶圆弯曲问题(wafer bow issues)和钝化该厚金属化层的最高工艺温度限制。

附图概述

根据下面的具体描述的解读，结合附图，公开的实施例将更容易理解，其中附图：

图1是根据本发明一个实施例的包含多层厚金属化结构的集成电路的横断面视图；

图2是示出根据本发明一个实施例的集成电路制造方法的流程图；

图3-6是根据本发明一个实施例的图1中的集成电路在其制造工艺不同点处的横断面视图。

为了示例的简化以及清楚，附图示出了一般的构造形式，而众所周知的特征和技术的描述和细节可能被省略，以避免与本发明所述实施例的论述产生不必要的混淆。另外，附图中的元素并不一定是按比例绘制的。例如，图中一些元素的尺寸相对于其它元素可能被夸大，以帮助增进对本发明的实施例的理解。不同附图中的相同的附图标记表示相同的元素，而相似的附图标记可以(但不一定)表示相似的元素。

在说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等，如果有的话，用来区别相似元件，而不一定用来描述一个特定序列或者按年代顺序排列的顺序。应理解这样所使用的术语在适当的情况下是可互换的，因此，例如，本文所述本发明的实施例能够按照本文所示的或另外所述的次序以外的次序来操作。类似地，如果本文中方法被描述为包括一系列步骤，那么本文所呈现的这些步骤的顺序不一定是这些步骤可被执行的唯一顺序，并且所陈述的步骤中的某些可以被省略和/或本文没有描述的某些其它步骤可以被增加到该方法。此外，术语“包含”、“包括”、“具有”及其任何变型意在涵盖非排他性的包含，使得包含一系列元素的过程、方法、物品、或者设备并不一定限于那些元素，而是可以包含没有清楚地列出或者对该过程、方法、物品或设备是固有的其它元素。

在说明书和权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“在...之上”、“在...之下”等等，如果有的话，是用于描述的目的，而不一定用于描述固定不变的相对位置。应理解这样使用的术语在适当的情况下是可互换的，因此，例如，本文所描述的本发明的实施例能够按照本文所示的或另外所述的取向以外的其它取向来操作。本文所用的术语“耦合”定义为直接或者间接以电的或者非电的方式连接。本文所描述的彼此“邻近”的对象，可能是彼此物理接触、彼此靠近，或者彼此在相同大致部位或区域中，根据短语所使用的上下文而具有适当的含义。本文短语“在一个实施例中”的出现，不一定都指代相同的实施例。

具体实施方式