[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录和再现装置有效
| 申请号: | 200980108426.6 | 申请日: | 2009-01-09 | 
| 公开(公告)号: | CN101971254A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 | 
| 发明(设计)人: | 福島正人;坂脇彰 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 | 
| 主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;H01F10/16;H01F41/18;H01F41/34 | 
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 公开了一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法。该方法包括:在非磁性基底上形成磁性层的步骤,该磁性层包含0.5原子%到6原子%的氧化物;以及将所述磁性层中的将要彼此磁性地分离的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。所述磁性层优选具有非颗粒状结构且是面内取向型磁性层。优选地,在将所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后,至少进行将惰性气体施加到已经暴露到所述反应等离子体或所述反应离子的所述区域中的表面。该方法可以以高生产率制造这样的磁记录介质,该磁记录介质包括高度精确的磁记录图形并具有高电磁转换特性和高记录密度。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 记录 介质 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】:
                一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法,其特征在于包括:在非磁性基底上形成磁性层的步骤,所述磁性层包含基于所述磁性层的0.5原子%到6原子%的范围内的量的氧化物;以及将所述磁性层的磁性地分离所述磁记录图形的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。
            
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