[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录和再现装置

权利要求书

1.一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，其特征在于包括：在非磁性基底上形成磁性层的步骤，所述磁性层包含基于所述磁性层的0.5原子％到6原子％的范围内的量的氧化物；以及将所述磁性层的磁性地分离所述磁记录图形的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。

2.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中包含0.5原子％到6原子％的氧化物的所述磁性层具有非颗粒状结构。

3.根据权利要求1或2的制造磁记录介质的方法，其中包含0.5原子％到6原子％的氧化物的所述磁性层是面内取向的磁性层。

4.根据权利要求1到3中任何一项的制造磁记录介质的方法，其中所述氧化物是选自SiO₂、TiO₂、WO₂、WO₃以及Cr₂O₃的至少一种氧化物。

5.根据权利要求1到4中任何一项的制造磁记录介质的方法，其中所述反应等离子体或所述反应离子包含卤素离子。

6.根据权利要求5的制造磁记录介质的方法，其中所述卤素离子是通过将选自CF₄、SF₆、CHF₃、CCl₄以及KBr的至少一种气态卤化物引入到所述反应等离子体中而产生的卤素离子。

7.根据权利要求1到6中任何一项的制造磁记录介质的方法，还包括在将所述磁性层的所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，将已经暴露到反应等离子体或反应离子的磁性层的所述区域暴露到氧等离子体的步骤。

8.根据权利要求1到7中任何一项的制造磁记录介质的方法，其中所述磁性层的将要暴露到反应等离子体或反应离子的所述区域为所述磁性层的表面部分。

9.根据权利要求1到7中任何一项的制造磁记录介质的方法，其中去除所述磁性层的将要暴露到反应等离子体或反应离子的所述区域中的表面层部分，然后，将所述磁性层的通过所述表面层部分的所述去除而新暴露的表面部分暴露到反应等离子体或反应离子。

10.根据权利要求9的制造磁记录介质的方法，其中在所述磁性层的将要暴露到反应等离子体或反应离子的所述区域中的所述表面层部分的所述去除被实施到使得具有0.1到15nm的范围内的厚度的表面层部分被去除的程度。

11.根据权利要求1到10中任何一项的制造磁记录介质的方法，还包括在将所述磁性层的所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，用惰性气体照射至少在已经暴露到所述反应等离子体或所述反应离子的磁性层的所述区域中的表面的步骤。

12.一种磁记录和再现装置，其特征在于组合地包括：通过根据权利要求1到11中任一项的方法制造的磁记录介质；用于沿记录方向驱动所述磁记录介质的驱动部；包括记录部和再现部的磁头；用于以与所述磁记录介质相对运动的方式移动所述磁头的装置；以及用于向所述磁头输入信号并用于从所述磁头再现输出信号的记录和再现信号处理装置。