[发明专利]包含用于高密度互连的硅贴片的微电子封装及其制造方法有效
申请号: | 200980107171.1 | 申请日: | 2009-03-29 |
公开(公告)号: | CN101960589A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | R·马哈詹;S·萨内 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种微电子封装,包括:衬底(110);嵌入在所述衬底中的硅贴片(120);位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构(131)和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构(132);以及所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线(150)。 | ||
搜索关键词: | 包含 用于 高密度 互连 硅贴片 微电子 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种微电子封装,包括:衬底;嵌入所述衬底中的硅贴片;位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构;以及所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线。
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