[发明专利]包含用于高密度互连的硅贴片的微电子封装及其制造方法

权利要求书

1.一种微电子封装，包括：

衬底；

嵌入所述衬底中的硅贴片；

位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构；以及

所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线。

2.根据权利要求1所述的微电子封装，其中：

所述衬底包含其中具有缓冲材料的孔口；并且

所述硅贴片以与所述缓冲材料相邻的方式嵌入所述孔口中。

3.根据权利要求1所述的微电子封装，其中：

所述第一和第二互连结构中的至少一个包括铜柱。

4.根据权利要求3所述的微电子封装，其中：

所述铜柱包括互锁特征件。

5.根据权利要求1所述的微电子封装，其中：

所述导电线的宽度不大于大约0.2微米。

6.根据权利要求1所述的微电子封装，还包括：

所述衬底中的电源线。

7.根据权利要求1所述的微电子封装，其中：

所述衬底的有效热膨胀系数在大约10ppm/°K和大约12ppm/°K之间。

8.一种微电子封装，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的第一管芯和第二管芯；

嵌入在所述衬底中的硅贴片；

所述硅贴片中位于所述第一管芯下方的第一多个互连结构和所述硅贴片中位于所述第二管芯下方的第二多个互连结构；以及

导电线，所述导电线将所述第一多个互连结构中的第一个和所述第二多个互连结构中的第一个彼此连接。

9.根据权利要求8所述的微电子封装，其中：

所述衬底包含其中具有缓冲材料的孔口；并且

所述硅贴片以与所述缓冲材料相邻的方式嵌入所述孔口中。

10.根据权利要求9所述的微电子封装，其中：

所述第一和第二多个互连结构中的至少一个中的至少一对相邻互连结构之间的间隔不大于80微米。

11.根据权利要求9所述的微电子封装，其中：

所述衬底的有效热膨胀系数在大约10ppm/°K和大约12ppm/°K之间。

12.根据权利要求9所述的微电子封装，其中：

所述第一和第二多个互连结构中的每一个包括铜柱。

13.根据权利要求12所述的微电子封装，其中：

所述铜柱中的至少一个包括互锁特征件。

14.根据权利要求12所述的微电子封装，其中：

所述导电线的宽度不大于大约0.2微米。

15.根据权利要求14所述的微电子封装，还包括：

所述衬底中的电源线。

16.一种制造微电子封装的方法，所述方法包括：

提供其中嵌入有硅贴片的衬底；

在所述硅贴片的第一位置处形成第一互连结构并且在所述硅贴片的第二位置处形成第二互连结构；以及

将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此电连接。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

在所述第一位置上方设置第一管芯并且在所述第二位置上方设置第二管芯；

将所述第一管芯和所述第一互连结构彼此电连接；以及

将所述第二管芯和所述第二互连结构彼此电连接。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

将所述第一管芯和所述第一互连结构彼此电连接包括：

在所述第一管芯处设置第一导电结构；以及

在所述第一导电结构和所述第一互连结构之间设置第一焊接点；并且

将所述第二管芯和所述第二互连结构彼此电连接包括：

在所述第二管芯处设置第二导电结构；以及

在所述第二导电结构和所述第二互连结构之间设置第二焊接点。